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Lugar de origen: | China |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Número de modelo: | BC2301 |
Cantidad de orden mínima: | 3000pcs |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/carrete |
Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | MOSFET de la baja tensión | Material: | Silicio |
---|---|---|---|
Paquete: | SOT-23 | MPQ: | 3000pcs |
MOQ: | 3000pcs | Tiempo de la muestra: | 5-7days |
Muestra: | libre | Plazo de ejecución: | 2-4weeks |
Situación sin plomo: | RoHS | ||
Alta luz: | mosfet de gran intensidad de la baja tensión,mosfet ultrabajo del voltaje del umbral |
Parámetro
|
Símbolo
|
Valor
|
Unidad
|
Voltaje de la Dren-fuente
|
VDS
|
-20
|
V
|
Voltaje de la Puerta-fuente
|
VGS
|
±8
|
V
|
Corriente continua del dren
|
Identificación
|
-2,3
|
|
Corriente pulsada del dren
|
IDM
|
-10
|
|
Corriente de diodo continua del Fuente-dren
|
ES
|
-0,72
|
|
Disipación de poder máxima
|
Paladio
|
0,35
|
W
|