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Lugar de origen: | China |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Número de modelo: | 1N5403 DO-201AD |
Cantidad de orden mínima: | PCS 1250 |
Precio: | Negotiable |
Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | Rectificador de silicio general | Material: | Silicio |
---|---|---|---|
Paquete: | DO-201AD | Tipo del paquete: | Axial |
MPQ: | 1250pcs | Muestras: | libre |
Tiempo de la muestra: | 5-7 días | Plazo de ejecución: | 2-4weeks |
Situación sin plomo: | RoHS | actual: | SI: 3.0Amp |
Voltaje: | VRRM: 300V | ||
Alta luz: | Diodo de rectificador de poder más elevado,Diodo de rectificador internacional |
diodo de fines generales del rectificador de silicio 3.0Amp 1N5403
El diodo de rectificador general de silicio de 3Amp 1N5403 con la soldadura plateó los terminales
1N5400~1N5408 DO-27 Datasheet.pdf
Grados en la temperatura ambiente de 25 °C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro | SÍMBOLOS | 1N5400 | 1N5401 |
1N5402
|
1N5403 | 1N5404 | 1N5405 | 1N5406 | 1N5407 | 1N5408 | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
|
210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 |
200
|
300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 3 | Amperios | |||||||||
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada | IFSM | 150 | Amperios | |||||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 3A | VF | 1,1 | Voltios | |||||||||
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC | TA=25°C | IR | 10 | UA | ||||||||
TA=125°C |
500 |
Diodo de rectificador de fines generales
Diodo de rectificador rápido de la recuperación
Diodo de rectificador de la barrera de Schottky
Diodo bajo de VF Schottky
Diodo transitorio de los supresores del voltaje de las TV
Diodo que cambia de alta velocidad
Diodo Zener del silicio
Puente rectificador del silicio
Diodo del supresor del ESD
Transistor
Mosfet de la baja tensión