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Lugar de origen: | China |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Número de modelo: | RS1M HACEN - 214AC (SMA) |
Cantidad de orden mínima: | 5000 pcs |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 1000pcs/reel/box |
Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | Diodos ultrarrápidos de la recuperación del silicio | Paquete: | SMA |
---|---|---|---|
Tipo del paquete: | diodo superficial del soporte | Tiempo de la muestra: | 5-7 días |
Max. Forward Current: | 1A | Voltaje reverso máximo: | 1000V |
Material: | Silicio | Posición de montaje: | Ningunos |
Alta luz: | diodo rápido de alto voltaje de la recuperación,Diodo superficial del soporte |
El diodo de silicio rápido de la recuperación 1A 1000V RS1M HACE - los rectificadores de 214AC SMD
El diodo de rectificador de silicio de SMD 1A 1000V RS1M HACE - diodo ultrarrápido de la recuperación 214AC
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro | SÍMBOLOS | RS1A | RS1B |
RS1D
|
RS1G | RS1J | RS1K | RS1M | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 |
200
|
400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 |
140
|
280 | 420 | 560 | 700 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 |
200
|
400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1 | Amperios | |||||||
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada | IFSM | 30 | Amperios | |||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1A | VF | 1,3 | Voltios | |||||||
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC | TA=25°C | IR |
5
|
μA | ||||||
TA=125°C |
500
|
|||||||||
Tiempo de recuperación reversa máximo | Trr |
150
|
250 | 500 | ns | |||||
Capacitancia de empalme típica | CJ |
10
|
PF |
Nota: condición de la recuperación 1.Reverse SI =0.5A, IR =1.0A, Irr=0.25A
2.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V