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Lugar de origen: | China |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Número de modelo: | ES2G HACEN - 214AA (SMB) |
Cantidad de orden mínima: | 3000 PC |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/reel/box |
Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | Diodos de la recuperación del silicio | Paquete: | SMB |
---|---|---|---|
Tipo del paquete: | Diodo montado superficie de los componentes electrónicos | Tiempo de la muestra: | 5-7 días |
Max. Forward Current: | 2A | Voltaje reverso máximo: | 400V |
Tiempo de recuperación reversa de Maxinum: | 35NS | VF: | 1.25V |
Alta luz: | diodo rápido de alto voltaje de la recuperación,diodo ultrarrápido de la recuperación |
Paquete de ES2A~ES2J SMB 400 voltios de diodos rápidos estupendos de la recuperación
paquete rápido estupendo del diodo ES2A~ES2J SMB de los componentes electrónicos de los diodos de la recuperación 400V
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario. La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
Parámetro | SÍMBOLOS | ES2A | ES2B | ES2C |
ES2D
|
ES2F | ES2G | ES2J | UNIDADES | |
Voltaje reverso del pico repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 150 |
200
|
300 | 400 | 600 | Voltios | |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 105 |
140
|
210 | 280 | 420 | Voltios | |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 150 |
200
|
300 | 400 | 600 | Voltios | |
Corriente delantera media máxima del rectificador en TL=100°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
2
|
Amperios | |||||||
Sobretensión delantera máxima, media onda sinusoidal 8.3msSingle sobrepuesta en carga clasificada | IFSM | 50 | Amperios | |||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 2A | VF |
0,95
|
1,25 | 1,7 | Voltios | |||||
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC | TA=25°C | IR |
5
|
μA | ||||||
TA=125°C |
500
|
|||||||||
Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1) | Trr |
35
|
ns |
Nota: condición de la recuperación 1.Reverse SI =0.5A, IR =1.0A, Irr=0.25A
2.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V