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Lugar de origen: | CHINA |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Número de modelo: | BC3400 |
Cantidad de orden mínima: | 3000pcs |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/carrete |
Tiempo de entrega: | 2-4weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | MOSFET del canal N BC3400 | Voltaje de la Dren-fuente: | 30v |
---|---|---|---|
Corriente continua del dren: | 5.8A | MPQ: | 3000pcs |
Tiempo de la muestra: | 5-7 días | Muestra: | libre |
Plazo de ejecución: | 2-4weeks | Situación sin plomo: | RoHS |
Alta luz: | Mosfet de la baja tensión 5.8A,Mosfet de la baja tensión 350mW,El plástico BC3400 encapsula los MOSFETS |
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||||||||||||||||||||||||||||
Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±12 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
Corriente continua del dren | Identificación | 5,8 | |||||||||||||||||||||||||||||
Dren Actual-pulsado (nota 1) | IDM | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||
Disipación de poder | Paladio | 350 | mW | ||||||||||||||||||||||||||||
Resistencia termal del empalme a ambiente (nota 2) | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura de empalme | TJ | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55~+150 | ℃ |
Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||
De características | ||||||||||||||||||||||||||||||
voltaje de avería de la Dren-fuente | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS =24V, VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||
corriente de la salida de la Puerta-fuente | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||
En características | ||||||||||||||||||||||||||||||
en-resistencia de la Dren-fuente (nota 3) | RDS (encendido) | VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
Tranconductance delantero | gFS | VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||
Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250ΜA | 0,7 | 1,4 | V | |||||||||||||||||||||||||
Características dinámicas (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Capacitancia entrada | CISS | VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz | 1050 | PF | ||||||||||||||||||||||||||
Capacitancia de salida | Coss | 99 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | 77 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
Resistencia de la puerta | Rg | VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz | 3,6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
Características que cambian (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) | VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de subida de abertura | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | TD (apagado) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de caída de la vuelta-apagado | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
características de diodo de la Dren-fuente y grados máximos | ||||||||||||||||||||||||||||||
Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VSD | ES =1A, VGS =0V | 1 | V |