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Lugar de origen: | CHINA |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Número de modelo: | BSS138 |
Cantidad de orden mínima: | 3000pcs |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/carrete |
Tiempo de entrega: | 4-5weeks |
Condiciones de pago: | T/T, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | MOSFET del canal N 50-V (D-S) | material: | Silicio |
---|---|---|---|
Paquete: | SOT-23 | Voltaje de la Dren-fuente: | 50V |
Corriente continua del dren: | 0.22A | Disipación de poder: | 0.35W |
Usos: | Controladores: relés, solenoides, lámparas, martillos, pantalla, memorias, transistores, etc. | Características: | Rugoso y confiable |
Alta luz: | Mosfets del transistor del campo BSS138,Mosfets del transistor del campo 0.22A,Mosfet del canal N 0.35W |
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||||||||||||||||||||||||||||||
Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Voltaje continuo de la Puerta-fuente | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Corriente continua del dren | Identificación | 0,22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Disipación de poder | Paladio | 0,35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
Resistencia termal del empalme a ambiente | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura de funcionamiento | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55 ~+150 |
Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||||||
De características | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
voltaje de avería de la Dren-fuente | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICACIÓN =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
salida del Puerta-cuerpo | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0,5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
VDS =30V, VGS =0V | 100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
En características | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
voltaje del Puerta-umbral (nota 1) | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA | 0,80 | 1,50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
En-resistencia estática de la dren-fuente (nota 1) | RDS (encendido) | VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | 3,50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Transconductancia delantera (nota 1) | gFS | VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | 0,12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
Características dinámicas (nota 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Capacitancia entrada | CISS | VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz | 27 | PF | ||||||||||||||||||||||||||||||
Capacitancia de salida | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Características que cambian | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de retraso de abertura (nota 1,2) | TD (encendido) | VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.29A, RGEN =6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de subida (nota 1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado (nota 1,2) | TD (apagado) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Tiempo de caída (nota 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
características de diodo del cuerpo de la Dren-fuente | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Voltaje delantero del diodo del cuerpo (nota 1) | VSD | ES =0.44A, VGS = 0V | 1,4 | V |