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Lugar de origen: | China |
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Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO14001 ISO9001 ISO/TS16949 UL |
Número de modelo: | RB520S-30 SOD-523 |
Cantidad de orden mínima: | 3000 PCS |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/reel/box |
Tiempo de entrega: | 2-4Weeks |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | diodo de barrera de 30V Schottky | Paquete: | SOD-523 |
---|---|---|---|
Tipo del paquete: | Diodo superficial del soporte | Tiempo de la muestra: | 5-7 días |
Max. Forward Current: | 200mA | Voltaje reverso del máximo: | 30V |
IFSM: | 1A | VF: | 0.6V |
Alta luz: | RB520S-30,Diodo de rectificador de silicio SOD-523,Soporte de la superficie del diodo de rectificador de silicio |
Diodo de barrera planar epitaxial de Schottky del silicio RB520S-30
Estos diodos de barrera de Schottky se diseñan para los usos, la protección de circuito, y la fijación con abrazadera high−speed del voltaje que cambian. Extremadamente - el voltaje delantero bajo reduce pérdida de la conducción. El paquete superficial miniatura del soporte es excelente para el hand−held y los usos portátiles donde está limitado el espacio.
Para la rectificación de poca intensidad y los usos que cambian de alta velocidad.
RB520S-30 SOD523 Datasheet.pdf
Grados en la temperatura ambiente 25°C salvo especificación de lo contrario.
Parámetro
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Símbolo
|
Valor
|
Unidades
|
Voltaje reverso
|
VR
|
30
|
V
|
Corriente de rectificación mala
|
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
|
200
|
mA
|
Sobretensión delantera máxima
|
IFSM
|
1
|
|
Temperatura de empalme
|
TJ
|
125
|
℃
|
Voltaje delantero en SI = 200 mA
|
VF
|
0,6
|
V
|
Nota: La manipulación de productos sensible del ESD requirió.