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Lugar de origen: | China |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Número de modelo: | BSS138K |
Cantidad de orden mínima: | 3000pcs |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/carrete |
Tiempo de entrega: | 4-5Weeks |
Condiciones de pago: | T/T, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | Canal N de BSS138K | Material: | Silicio |
---|---|---|---|
Paquete: | SOT-23 | Voltaje de la Dren-fuente: | 50V |
Corriente continua del dren: | 0.22A | Disipación de poder: | 0.35W |
MPQ: | 3000PCS | Características: | Rugoso y confiable |
Alta luz: | Mosfet de la baja tensión del silicio,0.35W BSS138K,Mosfet rugoso de la baja tensión |
Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad | ||||||||||
Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 50 | V | ||||||||||
Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±20 | V | ||||||||||
Drene Actual-continuo | Identificación | 0,22 | |||||||||||
Dren Actual-pulsado (nota 1) | IDM | 0,88 | |||||||||||
Disipación de poder máxima | Paladio | 0,35 | W | ||||||||||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Parámetro | Símbolo | Condición | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | |||||||
De características | |||||||||||||
Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | IDENTIFICACIÓN =250ΜA DE VGS =0V | 50 | 65 | - | V | |||||||
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | - | - | 1 | μA | |||||||
Corriente de la salida del Puerta-cuerpo | IGSS | VGS =±10V, VDS =0V | - | ±110 | ±500 | nA | |||||||
VGS =±12V, VDS =0V | - | ±0.3 | ±10 | UA | |||||||||
En las características (nota 3) | |||||||||||||
Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250ΜA | 0,6 | 1,1 | 1,6 | V | |||||||
Resistencia del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS =5V, IDENTIFICACIÓN =0.2A | - | 1,3 | 3 | Ω | |||||||
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
Transconductancia delantera | gFS | VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =0.2A | 0,2 | - | - | S | |||||||
Características dinámicas (Note4) | |||||||||||||
Capacitancia entrada | Clss | VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
Capacitancia de salida | Coss | - | 15 | - | PF | ||||||||
Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | - | 6 | - | PF | ||||||||
Características que cambian (nota 4) | |||||||||||||
Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) | VDD =30V, IDENTIFICACIÓN =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω | - | - | 5 | nS | |||||||
Tiempo de subida de abertura | tr | - | - | 5 | nS | ||||||||
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (apagado) | - | - | 60 | nS | ||||||||
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tf | - | - | 35 | nS | ||||||||
Carga total de la puerta | Qg | VDS =25V, IDENTIFICACIÓN =0.2A, VGS =10V |
- | - | 2,4 | nC | |||||||
Características de diodo de la Dren-fuente | |||||||||||||
Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VSD | VGS =0V, ES =0.22A | - | - | 1,3 | V | |||||||
Actual delantero del diodo (nota 2) | ES | - | - | 0,22 |