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Lugar de origen: | China |
---|---|
Nombre de la marca: | Huixin |
Certificación: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Número de modelo: | MMBT7002K |
Cantidad de orden mínima: | 3000pcs |
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | 3000pcs/carrete |
Tiempo de entrega: | 2-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, Paypal, efectivo |
Capacidad de la fuente: | 1 mil millones pedazos del mes |
Tipo: | MOSFET SC-70 SOT-323 de canal N | material: | Silicio |
---|---|---|---|
Paquete: | SC-70 SOT-323 | MPQ: | 3000pcs |
MOQ: | 3000pcs | Tiempo de la muestra: | 5-7days |
Plazo de ejecución: | 2-4weeks | Características: | Paquete superficial del soporte de la pequeña huella |
Ventajas: | Eficiencia mejorada del sistema | ||
Alta luz: | MOSFET de la señal del canal N 115mA,MOSFET de la señal del canal N 60V,Mosfet de la señal del silicio de MMBT7002W |
1. Diseño de alta densidad de la célula para el RDS bajo (ENCENDIDO)
2. interruptor controlado de la señal del voltaje pequeño
3. rugoso y confiable
4. alta capacidad de la corriente de saturación
5. paquete superficial del soporte de la pequeña huella
interruptor 1.Load para los dispositivos portátiles
Convertidor de 2.DC/DC
interruptor lateral de la carga 3.Low
Parámetro
|
Símbolo
|
Valor
|
Unidad
|
Voltaje de la Dren-fuente
|
VDS
|
60 |
V
|
Voltaje de la Puerta-fuente
|
VGS
|
20
|
V
|
Corriente continua del dren
|
Identificación
|
0,115
|
|
Temperatura de empalme
|
TJ
|
150
|
℃
|
Temperatura de almacenamiento
|
TSTG
|
-50~150
|
℃ |
Disipación de poder máxima
|
Paladio
|
0,2
|
W
|